Справочник MOSFET. HM13P10

 

HM13P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM13P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HM13P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM13P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:609K  cn hmsemi
 hm13p10.pdf pdf_icon

HM13P10

HM13P10P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:645K  cn hmsemi
 hm13p10k.pdf pdf_icon

HM13P10

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM12N15I , HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , HM13N50F , IRF630 , HM13P10K , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K .

History: IXFH30N50Q3 | KF7N65FM | STY80NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.