HM13P10K Todos los transistores

 

HM13P10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM13P10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HM13P10K MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM13P10K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  cn hmsemi
 hm13p10k.pdf pdf_icon

HM13P10K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:609K  cn hmsemi
 hm13p10.pdf pdf_icon

HM13P10K

HM13P10P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , HM13N50F , HM13P10 , 10N60 , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q .

 

 
Back to Top

 


 
.