HM13P10K - описание и поиск аналогов

 

HM13P10K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM13P10K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HM13P10K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM13P10K даташит

 ..1. Size:645K  cn hmsemi
 hm13p10k.pdf pdf_icon

HM13P10K

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

 7.1. Size:609K  cn hmsemi
 hm13p10.pdf pdf_icon

HM13P10K

HM13P10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM13P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-13A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM12N20D , HM12N60 , HM12N60F , HM12N65 , HM12N65F , HM13N50 , HM13N50F , HM13P10 , IRFP260N , HM1404 , HM1404B , HM1404C , HM1404D , HM150N03 , HM150N03D , HM150N03K , HM15N02Q .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.