HM1607 Todos los transistores

 

HM1607 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM1607
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 955 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HM1607 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM1607 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  cn hmsemi
 hm1607.pdf pdf_icon

HM1607

HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

 0.1. Size:868K  cn hmsemi
 hm1607d.pdf pdf_icon

HM1607

HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

Otros transistores... HM150N03K , HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , HM15P10D , HM15P55K , IRFP260 , HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K .

History: IPD090N03LGE8177 | P0903BKA | NCEP6090GU | UTT4815 | FQU8N25TU | MCH3479 | SIA447DJ

 

 
Back to Top

 


 
.