Справочник MOSFET. HM1607

 

HM1607 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM1607
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 380 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 150 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 158 nC
   Время нарастания (tr): 29 ns
   Выходная емкость (Cd): 955 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для HM1607

 

 

HM1607 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:656K  cn hmsemi
hm1607.pdf

HM1607
HM1607

HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

 0.1. Size:868K  cn hmsemi
hm1607d.pdf

HM1607
HM1607

HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top