HM1607D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM1607D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 380 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 150 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 158 nC
Tiempo de subida (tr): 29 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 955 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0063 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1607D
HM1607D Datasheet (PDF)
hm1607d.pdf
HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR
hm1607.pdf
HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR
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