HM1607D Todos los transistores

 

HM1607D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM1607D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 955 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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HM1607D Datasheet (PDF)

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HM1607D

HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

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HM1607D

HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

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History: SI3429EDV | 2SK1323 | SE6080A | STF21NM60ND | SI2399DS-T1 | SM1F08NSU | IRLU8726PBF

 

 
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