HM1607D Todos los transistores

 

HM1607D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM1607D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 955 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0063 Ohm

Encapsulados: TO263

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HM1607D datasheet

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HM1607D

HM1607D N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM. DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GS R

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HM1607D

HM1607 N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM. DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GS R

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History: 2SK2637 | WMR12P02T1

 

 

 

 

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