HM1607D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM1607D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 955 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
Тип корпуса: TO263
HM1607D Datasheet (PDF)
hm1607d.pdf
HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR
hm1607.pdf
HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: 2SK3013 | JCS4N80F
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918