Справочник MOSFET. HM1607D

 

HM1607D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM1607D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 955 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HM1607D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1607D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  cn hmsemi
 hm1607d.pdf pdf_icon

HM1607D

HM1607DN-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

 8.1. Size:656K  cn hmsemi
 hm1607.pdf pdf_icon

HM1607D

HM1607N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM1607 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM.DS(ON) Features V =75V; I =150A@ V =10V; DS D GSR

Другие MOSFET... HM15N02Q , HM15N10D , HM15N10K , HM15N50 , HM15N50F , HM15P10D , HM15P55K , HM1607 , 12N60 , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 .

History: TPA60R150C | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | IXTC160N10T | CS10N65FA9HD | 2N5905 | 90N03L

 

 
Back to Top

 


 
.