HM180N02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM180N02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 185 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
Encapsulados: TO220
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HM180N02 datasheet
hm180n02.pdf
HM180N02 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
hm180n02d.pdf
HM180N02D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
hm180n02k.pdf
HM180N02K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)
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