HM180N02 - описание и поиск аналогов

 

HM180N02. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM180N02

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 185 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HM180N02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM180N02 даташит

 ..1. Size:601K  cn hmsemi
 hm180n02.pdf pdf_icon

HM180N02

HM180N02 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

 0.1. Size:803K  cn hmsemi
 hm180n02d.pdf pdf_icon

HM180N02

HM180N02D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

 0.2. Size:991K  cn hmsemi
 hm180n02k.pdf pdf_icon

HM180N02

HM180N02K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM180N02K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =20V,ID =185A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM1607D , HM16N02D , HM16N50 , HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , 4435 , HM180N02D , HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A .

History: FQA9P25 | BSL308C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.