HM18DN03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM18DN03Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN3X3E-8-EP2
Búsqueda de reemplazo de HM18DN03Q MOSFET
HM18DN03Q Datasheet (PDF)
hm18dn03q.pdf

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM18DN03QDESCRIPTIONTheHM18DN03Qusesadvanced trench technology to provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES Channel1RDS(ON)
Otros transistores... HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , IRFB3607 , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K .
History: JMSL0604AG | WMP07N60C4 | WMP08N65C4 | BSC152N10NSFG | AUIRF1010ZS | BSC265N10LSFG | SI2310B
History: JMSL0604AG | WMP07N60C4 | WMP08N65C4 | BSC152N10NSFG | AUIRF1010ZS | BSC265N10LSFG | SI2310B



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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