HM18DN03Q Todos los transistores

 

HM18DN03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM18DN03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3E-8-EP2
 

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HM18DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn hmsemi
 hm18dn03q.pdf pdf_icon

HM18DN03Q

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM18DN03QDESCRIPTIONTheHM18DN03Qusesadvanced trench technology to provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES Channel1RDS(ON)

Otros transistores... HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , IRFB3607 , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K .

History: AOD661 | NVMFD5852NL

 

 
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