HM18DN03Q Todos los transistores

HM18DN03Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM18DN03Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0108 Ohm

Encapsulados: DFN3X3E-8-EP2

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros