Справочник MOSFET. HM18DN03Q

 

HM18DN03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM18DN03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3E-8-EP2
 

 Аналог (замена) для HM18DN03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM18DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn hmsemi
 hm18dn03q.pdf pdf_icon

HM18DN03Q

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM18DN03QDESCRIPTIONTheHM18DN03Qusesadvanced trench technology to provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES Channel1RDS(ON)

Другие MOSFET... HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , IRFB3607 , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K .

History: NP84N055ELE | APT42F50S

 

 
Back to Top

 


 
.