HM18DN03Q - описание и поиск аналогов

 

HM18DN03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM18DN03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3E-8-EP2

Аналог (замена) для HM18DN03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM18DN03Q даташит

 ..1. Size:1013K  cn hmsemi
 hm18dn03q.pdf pdf_icon

HM18DN03Q

Другие MOSFET... HM16N50F , HM16N60F , HM16N65F , HM16P12D , HM17N10K , HM180N02 , HM180N02D , HM180N02K , K4145 , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.