Справочник MOSFET. HM18DN03Q

 

HM18DN03Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM18DN03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3E-8-EP2

 Аналог (замена) для HM18DN03Q

 

 

HM18DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn hmsemi
 hm18dn03q.pdf

HM18DN03Q HM18DN03Q

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM18DN03QDESCRIPTIONTheHM18DN03Qusesadvanced trench technology to provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES Channel1RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SRC65R650B | IRF7404PBF | IRF7316PBF-1

 

 
Back to Top