Справочник MOSFET. HM18DN03Q

 

HM18DN03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM18DN03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0108 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3E-8-EP2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM18DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1013K  cn hmsemi
 hm18dn03q.pdf pdf_icon

HM18DN03Q

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET HM18DN03QDESCRIPTIONTheHM18DN03Qusesadvanced trench technology to provideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications.GENERALFEATURES Channel1RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOW290 | AOTF380A60CL | HM2305B | CTZ2305A | HM25N03D | DACMI060N170BZK | 2N3380

 

 
Back to Top

 


 
.