HM18P10 Todos los transistores

 

HM18P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM18P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 590 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM18P10 datasheet

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HM18P10

HM18P10 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM18P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:460K  cn hmsemi
 hm18p10k.pdf pdf_icon

HM18P10

8 K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , AON6380 , HM18P10K , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR .

History: UPA1804GR | MDF5N50FBTH | MEE3716T

 

 

 

 

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