Справочник MOSFET. HM18P10

 

HM18P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM18P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 590 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HM18P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM18P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  cn hmsemi
 hm18p10.pdf pdf_icon

HM18P10

HM18P10P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM18P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

 0.1. Size:460K  cn hmsemi
 hm18p10k.pdf pdf_icon

HM18P10

8 K P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features VDS =-100V,ID =-18A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM180N02K , HM18DN03Q , HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , IRLZ44N , HM18P10K , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR .

History: GSM1073E | AOI296A | NCE70N380I | TSU5N60M | SIA910EDJ | CS6N70FB9D | NCE65N900I

 

 
Back to Top

 


 
.