HM19N40 Todos los transistores

 

HM19N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM19N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 206 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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HM19N40 datasheet

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HM19N40

General Description VDSS 400 V HM19N40, the silicon N-channel Enhanced ID 19 A PD (TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.23 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturizatio

Otros transistores... HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , CS150N03A8 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q .

History: PTP80N60 | SIR172ADP | FQD7N10L

 

 

 

 

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