HM19N40 - описание и поиск аналогов

 

HM19N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM19N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HM19N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM19N40 даташит

 ..1. Size:439K  cn hmsemi
 hm19n40.pdf pdf_icon

HM19N40

General Description VDSS 400 V HM19N40, the silicon N-channel Enhanced ID 19 A PD (TC=25 ) 150 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 0.23 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturizatio

Другие MOSFET... HM18N03D , HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , CS150N03A8 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.