HM1N50MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM1N50MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1N50MR

HM1N50MR Datasheet (PDF)

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hm1n50mr.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MRGeneral Description VDSS 500 VHM1N50MR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir

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Liste

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