HM1N50MR Todos los transistores

 

HM1N50MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM1N50MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm

Encapsulados: SOT23

 Búsqueda de reemplazo de HM1N50MR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM1N50MR datasheet

 ..1. Size:2411K  cn hmsemi
 hm1n50mr.pdf pdf_icon

HM1N50MR

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MR General Description VDSS 500 V HM1N50MR, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir

Otros transistores... HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , NCEP15T14 , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q .

History: 2SK2161 | KP214A9 | 2SK1837

 

 

 

 

↑ Back to Top
.