HM1N50MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM1N50MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
HM1N50MR Datasheet (PDF)
hm1n50mr.pdf

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MRGeneral Description VDSS 500 VHM1N50MR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir
Otros transistores... HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , IRFP450 , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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