HM1N50MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM1N50MR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 6 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 11 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1N50MR
HM1N50MR Datasheet (PDF)
hm1n50mr.pdf
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Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MRGeneral Description VDSS 500 VHM1N50MR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir
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