HM1N50MR - описание и поиск аналогов

 

HM1N50MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM1N50MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM1N50MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1N50MR даташит

 ..1. Size:2411K  cn hmsemi
 hm1n50mr.pdf pdf_icon

HM1N50MR

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MR General Description VDSS 500 V HM1N50MR, the silicon N-channel Enhanced ID 1.0 A PD (TC=25 ) 3 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir

Другие MOSFET... HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , NCEP15T14 , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q .

History: KP501A | ZDS020N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.