HM1N50MR - аналоги и даташиты транзистора

 

HM1N50MR - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM1N50MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM1N50MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1N50MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2411K  cn hmsemi
 hm1n50mr.pdf pdf_icon

HM1N50MR

Silicon N-Channel Power MOSFET HM1N50MRGeneral Description VDSS 500 VHM1N50MR, the silicon N-channel EnhancedID 1.0 APD (TC=25) 3 WVDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 9.2which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching cir

Другие MOSFET... HM18N40 , HM18N40A , HM18N40F , HM18N50A , HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , IRFP450 , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q .

History: IXFX64N60P3 | SPP08P06PH

 

 
Back to Top

 


 
.