HM1P10MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM1P10MR
   Código: 1P10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 4.5 nC
   Tiempo de subida (tr): 6.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 29 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM1P10MR

HM1P10MR Datasheet (PDF)

..1. Size:1001K cn hmsemi
hm1p10mr.pdf

HM1P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

9.1. Size:463K cn hmsemi
hm1p15mr.pdf