HM1P10MR Todos los transistores

 

HM1P10MR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM1P10MR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM1P10MR datasheet

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HM1P10MR

HM1P10MR -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS D R

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HM1P10MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

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HM1P10MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

Otros transistores... HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , TK10A60D , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 .

History: APT10040B2VR | HM1P15MR

 

 

 

 

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