HM1P10MR Todos los transistores

 

HM1P10MR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM1P10MR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM1P10MR Datasheet (PDF)

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HM1P10MR

HM1P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

 9.1. Size:463K  cn hmsemi
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HM1P10MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

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HM1P10MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

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History: HM30N02D | FDB6690S | HM25P04K | SIHP22N65E | PDN2309S | RUH1H130S | 2SK2907-01

 

 
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