HM1P10MR - описание и поиск аналогов

 

HM1P10MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM1P10MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM1P10MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1P10MR даташит

 ..1. Size:1001K  cn hmsemi
 hm1p10mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P10MR -100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS D R

 9.1. Size:463K  cn hmsemi
 hm1p15mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

 9.2. Size:370K  cn hmsemi
 hm1p15pr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

Другие MOSFET... HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , TK10A60D , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.