Справочник MOSFET. HM1P10MR

 

HM1P10MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM1P10MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1P10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  cn hmsemi
 hm1p10mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

 9.1. Size:463K  cn hmsemi
 hm1p15mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

 9.2. Size:370K  cn hmsemi
 hm1p15pr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM3400B | 1N60P

 

 
Back to Top

 


 
.