Справочник MOSFET. HM1P10MR

 

HM1P10MR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM1P10MR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для HM1P10MR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM1P10MR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  cn hmsemi
 hm1p10mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P10MR-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM1P10MR uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. General Features V = -100V I =-0.9 A DS DR

 9.1. Size:463K  cn hmsemi
 hm1p15mr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15MR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

 9.2. Size:370K  cn hmsemi
 hm1p15pr.pdf pdf_icon

HM1P10MR

HM1P15PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDSON

Другие MOSFET... HM18N50F , HM18P10 , HM18P10K , HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , IRFZ24N , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 .

History: TPC60R150C | BRCS065N08SHRA | HUFA75337G3

 

 
Back to Top

 


 
.