HM2015DN03Q Todos los transistores

 

HM2015DN03Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM2015DN03Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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HM2015DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  cn hmsemi
 hm2015dn03q.pdf pdf_icon

HM2015DN03Q

HM2015DN03Q30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2015DN03Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Diagram Q2"Lo

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History: ZXMP6A17DN8 | IRF3256 | HM1P10MR | NTMFS5C670NLT3G | JMTP3010D

 

 
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