HM2015DN03Q - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM2015DN03Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3
Аналог (замена) для HM2015DN03Q
HM2015DN03Q Datasheet (PDF)
hm2015dn03q.pdf

HM2015DN03Q30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2015DN03Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Diagram Q2"Lo
Другие MOSFET... HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , 10N65 , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K .
History: FP8V50 | APT47N60BC3
History: FP8V50 | APT47N60BC3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c2634 transistor | mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики