Справочник MOSFET. HM2015DN03Q

 

HM2015DN03Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2015DN03Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для HM2015DN03Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2015DN03Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:467K  cn hmsemi
 hm2015dn03q.pdf pdf_icon

HM2015DN03Q

HM2015DN03Q30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2015DN03Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Diagram Q2"Lo

Другие MOSFET... HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , 10N65 , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K .

History: AO3415A | 2SK2162 | VBA1310S | BUK9M53-60E | TSM40N03PQ56 | AS2305

 

 
Back to Top

 


 
.