HM2015DN03Q - описание и поиск аналогов

 

HM2015DN03Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2015DN03Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HM2015DN03Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2015DN03Q даташит

 ..1. Size:467K  cn hmsemi
 hm2015dn03q.pdf pdf_icon

HM2015DN03Q

HM2015DN03Q 30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2015DN03Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Diagram Q2"Lo

Другие MOSFET... HM19N40 , HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , 4N60 , HM2030Q , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.