HM2030Q Todos los transistores

 

HM2030Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2030Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm

Encapsulados: DFN3X3

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HM2030Q datasheet

 ..1. Size:1363K  cn hmsemi
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HM2030Q

HM2030Q Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 20V 5.8m 56A technology General Description DFN3x3 Pin Configuration The is the highest performance trench N- ch MOSFETs with extreme high cell density, which provi

 8.1. Size:110K  chenmko
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HM2030Q

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM2030JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere P-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

Otros transistores... HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , IRFP250 , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K , HM20N15KA .

History: APT51F50J | DMP3065LVT | MDF3752TH

 

 

 

 

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