HM2030Q Todos los transistores

 

HM2030Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM2030Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 41 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 380 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0058 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM2030Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1363K  cn hmsemi
 hm2030q.pdf pdf_icon

HM2030Q

HM2030QDual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 20V 5.8m 56A technology General Description DFN3x3 Pin Configuration The is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density, which provi

 8.1. Size:110K  chenmko
 chm2030jgp.pdf pdf_icon

HM2030Q

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM2030JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 AmpereP-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM20N15D | 2SK2907-01 | SIHP22N65E | HM25P04K | FDB6690S | RUH1H130S | PDN2309S

 

 
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