HM2030Q - описание и поиск аналогов

 

HM2030Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2030Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для HM2030Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2030Q даташит

 ..1. Size:1363K  cn hmsemi
 hm2030q.pdf pdf_icon

HM2030Q

HM2030Q Dual N-Ch Fast Switching MOSFETs Product Summary Green Device Available Super Low Gate Charge Excellent CdV/dt effect decline BVDSS RDSON ID Advanced high cell density Trench 20V 5.8m 56A technology General Description DFN3x3 Pin Configuration The is the highest performance trench N- ch MOSFETs with extreme high cell density, which provi

 8.1. Size:110K  chenmko
 chm2030jgp.pdf pdf_icon

HM2030Q

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM2030JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 6 Ampere P-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... HM1N50MR , HM1N60 , HM1N60PR , HM1N60R , HM1P10MR , HM1P15MR , HM1P15PR , HM2015DN03Q , IRFP250 , HM20N06 , HM20N06IA , HM20N06KA , HM20N15 , HM20N15A , HM20N15D , HM20N15K , HM20N15KA .

History: CRTT029N06N | MDF15N60GTH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.