STS3116E Todos los transistores

 

STS3116E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS3116E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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STS3116E datasheet

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STS3116E

Green Product STS3116E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 94 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 2.6A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected. 139 @ VGS=2.5V D SOT23 G D S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Otros transistores... FDMA507PZ , FDMA510PZ , FDMA520PZ , FDMA530PZ , FDMA6023PZT , FDMA7630 , STS3400 , FDMA7632 , IRF530 , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , FDMB3800N , STS2620A , FDMB3900AN , FDMB668P .

History: DHS020N04B | APM4430 | IXFH67N10 | IXFH32N50 | IRFIBE30G | JMSL1005PK | TSM3455CX6

 

 
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