STS3116E Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS3116E  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.094 Ohm

Encapsulados: SOT23

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STS3116E datasheet

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STS3116E

Green Product STS3116E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 94 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 2.6A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected. 139 @ VGS=2.5V D SOT23 G D S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Otros transistores... FDMA507PZ, FDMA510PZ, FDMA520PZ, FDMA530PZ, FDMA6023PZT, FDMA7630, STS3400, FDMA7632, 12N60, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, FDMB3900AN, FDMB668P