Справочник MOSFET. STS3116E

 

STS3116E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STS3116E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для STS3116E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3116E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  samhop
 sts3116e.pdf pdf_icon

STS3116E

GreenProductSTS3116EaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.1N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.94 @ VGS=10VSuface Mount Package.30V 2.6A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected.139 @ VGS=2.5V D SOT23GDSGSABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Другие MOSFET... FDMA507PZ , FDMA510PZ , FDMA520PZ , FDMA530PZ , FDMA6023PZT , FDMA7630 , STS3400 , FDMA7632 , AO4407 , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , FDMB3800N , STS2620A , FDMB3900AN , FDMB668P .

History: IRFU5410 | IRF625

 

 
Back to Top

 


 
.