STS3116E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STS3116E  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.094 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для STS3116E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STS3116E даташит

 ..1. Size:110K  samhop
 sts3116e.pdf pdf_icon

STS3116E

Green Product STS3116E a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) (m ) Max Rugged and reliable. 94 @ VGS=10V Suface Mount Package. 30V 2.6A 107 @ VGS=4.5V ESD Protected. 139 @ VGS=2.5V D SOT23 G D S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=2

Другие IGBT... FDMA507PZ, FDMA510PZ, FDMA520PZ, FDMA530PZ, FDMA6023PZT, FDMA7630, STS3400, FDMA7632, IRF530, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, FDMB3900AN, FDMB668P