HM2328 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2328

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM2328 datasheet

 ..1. Size:540K  cn hmsemi
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HM2328

HM2328 100V N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 V N MOS VDS= 100V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1.0A = 270m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@0.5A = 340m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low OnResistance Improved ShootThrough FOM

 9.1. Size:218K  chenmko
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HM2328

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2321GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 3.8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) (3) 0.95

 9.2. Size:84K  chenmko
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HM2328

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2323GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.1 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High sat

Otros transistores... HM2312B, HM2314, HM2314B, HM2318A, HM2318APR, HM2318B, HM2319, HM2319A, IRF630, HM2333, HM2341, HM2341B, HM2369, HM24N20, HM24N20K, HM24N20KA, HM24N50A