HM2328 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM2328
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 29 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.27 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM2328
HM2328 Datasheet (PDF)
hm2328.pdf
HM2328100V N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 V N MOS VDS= 100V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1.0A = 270mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@0.5A = 340mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low OnResistance Improved ShootThrough FOM
chm2321gp.pdf
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chm2323gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2323GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat
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History: RJK0305DPC
History: RJK0305DPC
Liste
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