HM2328. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2328

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 29 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для HM2328

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2328 даташит

 ..1. Size:540K  cn hmsemi
 hm2328.pdf pdf_icon

HM2328

HM2328 100V N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 V N MOS VDS= 100V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1.0A = 270m RDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@0.5A = 340m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low OnResistance Improved ShootThrough FOM

 9.1. Size:218K  chenmko
 chm2321gp.pdf pdf_icon

HM2328

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2321GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 3.8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) (3) 0.95

 9.2. Size:84K  chenmko
 chm2323gp.pdf pdf_icon

HM2328

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM2323GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.1 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SC-59/SOT-346 FEATURE * Small flat package. (SC-59 ) * High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable. (2) * High sat

Другие IGBT... HM2312B, HM2314, HM2314B, HM2318A, HM2318APR, HM2318B, HM2319, HM2319A, IRF630, HM2333, HM2341, HM2341B, HM2369, HM24N20, HM24N20K, HM24N20KA, HM24N50A