HM2328 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM2328
Маркировка: 2328
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.7 nC
Время нарастания (tr): 19 ns
Выходная емкость (Cd): 29 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.27 Ohm
Тип корпуса: SOT23
HM2328 Datasheet (PDF)
hm2328.pdf
HM2328100V N Channel Enhancement Mode MOSFET 100 V N MOS VDS= 100V RDS(ON), Vgs@10V, Ids@1.0A = 270mRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@0.5A = 340mFeatures Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low OnResistance Improved ShootThrough FOM
chm2321gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2321GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 3.8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)(3) 0.95
chm2323gp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM2323GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 4.1 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SC-59/SOT-346FEATURE* Small flat package. (SC-59 )* High density cell design for extremely low RDS(ON). * Rugged and reliable.(2)* High sat
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
