FDMB3800N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMB3800N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: MICROFET

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FDMB3800N datasheet

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FDMB3800N

October 2006 FDMB3800N tm Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40m Features General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A has been especially tailored to minimize the on-state resistance

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FDMB3800N

June 2013 FDMB3900AN Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A that has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

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