FDMB3800N Todos los transistores

 

FDMB3800N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMB3800N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMB3800N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  fairchild semi
 fdmb3800n.pdf pdf_icon

FDMB3800N

October 2006FDMB3800NtmDual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40mFeatures General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8AThese N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3Ahas been especially tailored to minimize the on-state resistance

 9.1. Size:265K  fairchild semi
 fdmb3900an.pdf pdf_icon

FDMB3800N

June 2013FDMB3900ANDual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 Athat has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: JANSR2N7292

 

 
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