Справочник MOSFET. FDMB3800N

 

FDMB3800N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMB3800N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB3800N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  fairchild semi
 fdmb3800n.pdf pdf_icon

FDMB3800N

October 2006FDMB3800NtmDual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40mFeatures General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8AThese N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3Ahas been especially tailored to minimize the on-state resistance

 9.1. Size:265K  fairchild semi
 fdmb3900an.pdf pdf_icon

FDMB3800N

June 2013FDMB3900ANDual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 Athat has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

Другие MOSFET... FDMA7630 , STS3400 , FDMA7632 , STS3116E , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , IRFB3607 , STS2620A , FDMB3900AN , FDMB668P , FDMC15N06 , FDMC2512SDC , FDMC2514SDC , FDMC2523P , FDMC2610 .

History: WST2N7002A | BUK9M120-100E | TPCA8012-H | GSM6602 | SSF2300B | FQU2N80TU | HGB035N10A

 

 
Back to Top

 


 
.