HM26N18K Todos los transistores

 

HM26N18K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM26N18K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 185 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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HM26N18K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  cn hmsemi
 hm26n18k.pdf pdf_icon

HM26N18K

HM26N18KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM26N18K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

Otros transistores... HM25P03D , HM25P03K , HM25P03Q , HM25P04D , HM25P04K , HM25P15 , HM25P15D , HM25P15K , AO4407 , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , HM2907 , HM2N10 .

History: HY1607M | SPD09N05 | HMS11N60 | PHD78NQ03LT | WMM90R500S | IPB022N04LG | HMS11N60F

 

 
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