Справочник MOSFET. HM26N18K

 

HM26N18K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM26N18K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 185 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для HM26N18K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM26N18K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  cn hmsemi
 hm26n18k.pdf pdf_icon

HM26N18K

HM26N18KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM26N18K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM25P03D , HM25P03K , HM25P03Q , HM25P04D , HM25P04K , HM25P15 , HM25P15D , HM25P15K , AO4407 , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , HM2907 , HM2N10 .

History: STP11NM60N | SM4411 | AM7304N | P7004EV | NTD4857N-1G | STB10NK60Z | NCEP6060GU

 

 
Back to Top

 


 
.