HM26N18K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM26N18K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 185 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для HM26N18K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM26N18K даташит

 ..1. Size:509K  cn hmsemi
 hm26n18k.pdf pdf_icon

HM26N18K

HM26N18K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM26N18K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)

Другие IGBT... HM25P03D, HM25P03K, HM25P03Q, HM25P04D, HM25P04K, HM25P15, HM25P15D, HM25P15K, IRF530, HM2800D, HM2803D, HM2807, HM2807D, HM2809D, HM2809DR, HM2907, HM2N10