HM26N18K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM26N18K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 185 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для HM26N18K
HM26N18K Datasheet (PDF)
hm26n18k.pdf
HM26N18KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM26N18K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =185V,ID =26A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM25P03D , HM25P03K , HM25P03Q , HM25P04D , HM25P04K , HM25P15 , HM25P15D , HM25P15K , IRF530 , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , HM2907 , HM2N10 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381


