HM2809DR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2809DR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.188 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

 Búsqueda de reemplazo de HM2809DR MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM2809DR datasheet

 ..1. Size:1575K  cn hmsemi
 hm2809dr.pdf pdf_icon

HM2809DR

 7.1. Size:1619K  cn hmsemi
 hm2809d.pdf pdf_icon

HM2809DR

 9.1. Size:505K  cn hmsemi
 hm2807.pdf pdf_icon

HM2809DR

HM2807 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM2807 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 9.2. Size:1154K  cn hmsemi
 hm2800d.pdf pdf_icon

HM2809DR

HM2800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. G2 G1 S2 S1 General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 5.0A RDS(O

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HM25P15D, HM25P15K, HM26N18K, HM2800D, HM2803D, HM2807, HM2807D, HM2809D, TK10A60D, HM2907, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR