HM2809DR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2809DR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.188 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для HM2809DR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2809DR даташит

 ..1. Size:1575K  cn hmsemi
 hm2809dr.pdf pdf_icon

HM2809DR

 7.1. Size:1619K  cn hmsemi
 hm2809d.pdf pdf_icon

HM2809DR

 9.1. Size:505K  cn hmsemi
 hm2807.pdf pdf_icon

HM2809DR

HM2807 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DESCRIPTION The HM2807 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. GENERAL FEATURES VDS = 100V,ID =100A RDS(ON)

 9.2. Size:1154K  cn hmsemi
 hm2800d.pdf pdf_icon

HM2809DR

HM2800D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM2800D uses advanced trench technology to provide D2 D1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. G2 G1 S2 S1 General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 5.0A RDS(O

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HM25P15D, HM25P15K, HM26N18K, HM2800D, HM2803D, HM2807, HM2807D, HM2809D, TK10A60D, HM2907, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR