HM2907 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2907

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO-220

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HM2907 datasheet

 ..1. Size:1105K  cn hmsemi
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HM2907

Pin Description Features VDSS=80V VGSS= 25V ID=180A RDS(ON)=4.5m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter S

 0.1. Size:42K  hsmc
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HM2907

Spec. No. HE9520 HI-SINCERITY Issued Date 1997.06.18 Revised Date 2007.04.17 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. SOT-89 Features Low collector saturation voltage High speed switching For co

Otros transistores... HM25P15K, HM26N18K, HM2800D, HM2803D, HM2807, HM2807D, HM2809D, HM2809DR, AO4407, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR