HM2907 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM2907
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
- Selección de transistores por parámetros
HM2907 Datasheet (PDF)
hm2907.pdf

Pin Description Features VDSS=80VVGSS=25VID=180A RDS(ON)=4.5m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter S
hm2907a.pdf

Spec. No. :HE9520 HI-SINCERITY Issued Date : 1997.06.18 Revised Date : 2007.04.17 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. SOT-89 Features Low collector saturation voltage High speed switching For co
Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HM3400C | FDB6690S | HM30P02K | SIHP22N65E | HM25P04K | RUH1H130S | HM20P02D
History: HM3400C | FDB6690S | HM30P02K | SIHP22N65E | HM25P04K | RUH1H130S | HM20P02D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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