HM2907 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM2907
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de HM2907 MOSFET
HM2907 Datasheet (PDF)
hm2907.pdf

Pin Description Features VDSS=80VVGSS=25VID=180A RDS(ON)=4.5m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter S
hm2907a.pdf

Spec. No. :HE9520 HI-SINCERITY Issued Date : 1997.06.18 Revised Date : 2007.04.17 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. SOT-89 Features Low collector saturation voltage High speed switching For co
Otros transistores... HM25P15K , HM26N18K , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , P60NF06 , HM2N10 , HM2N10B , HM2N10MR , HM2N15PR , HM2N15R , HM2N20 , HM2N20MR , HM2N20PR .
History: KHB4D0N65F | IXFT86N30T | PMF77XN | IRFS723 | ME70N03S-G | DH400P06F | IPB180N08S4-02
History: KHB4D0N65F | IXFT86N30T | PMF77XN | IRFS723 | ME70N03S-G | DH400P06F | IPB180N08S4-02



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet