HM2907. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2907

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для HM2907

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2907 даташит

 ..1. Size:1105K  cn hmsemi
 hm2907.pdf pdf_icon

HM2907

Pin Description Features VDSS=80V VGSS= 25V ID=180A RDS(ON)=4.5m (max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter S

 0.1. Size:42K  hsmc
 hm2907a.pdf pdf_icon

HM2907

Spec. No. HE9520 HI-SINCERITY Issued Date 1997.06.18 Revised Date 2007.04.17 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/4 HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. SOT-89 Features Low collector saturation voltage High speed switching For co

Другие IGBT... HM25P15K, HM26N18K, HM2800D, HM2803D, HM2807, HM2807D, HM2809D, HM2809DR, AO4407, HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR