HM2907 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM2907
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для HM2907
HM2907 Datasheet (PDF)
hm2907.pdf

Pin Description Features VDSS=80VVGSS=25VID=180A RDS(ON)=4.5m(max.)@VGS=10V Low Dense Cell Design Reliable and Rugged Advanced trench process technology Applications Synchronous Rectification Power Management in Inverter S
hm2907a.pdf

Spec. No. :HE9520 HI-SINCERITY Issued Date : 1997.06.18 Revised Date : 2007.04.17 MICROELECTRONICS CORP. Page No. : 1/4 HM2907A PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description The HM2907A is designed for general purpose amplifier and high speed, medium-power switching applications. SOT-89 Features Low collector saturation voltage High speed switching For co
Другие MOSFET... HM25P15K , HM26N18K , HM2800D , HM2803D , HM2807 , HM2807D , HM2809D , HM2809DR , P60NF06 , HM2N10 , HM2N10B , HM2N10MR , HM2N15PR , HM2N15R , HM2N20 , HM2N20MR , HM2N20PR .
History: FS5AS-3 | NTLUS3A18PZTAG | RUQ050N02FRA | WSD30160DN56 | RU8205C6 | WFF8N65B | PNM523T703E0-2
History: FS5AS-3 | NTLUS3A18PZTAG | RUQ050N02FRA | WSD30160DN56 | RU8205C6 | WFF8N65B | PNM523T703E0-2



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet