HM2N20R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2N20R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: SOT223

 Búsqueda de reemplazo de HM2N20R MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

HM2N20R datasheet

 ..1. Size:1034K  cn hmsemi
 hm2n20r.pdf pdf_icon

HM2N20R

 8.1. Size:922K  cn hmsemi
 hm2n20mr.pdf pdf_icon

HM2N20R

HM2N20MR 200V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The HM2N20MR uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. DS(ON) It can be used in a wide variety of applications. General Features V = 200V,I =2A DS D R

 8.2. Size:576K  cn hmsemi
 hm2n20.pdf pdf_icon

HM2N20R

HM2N20 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The HM2N20 uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDS = 200V,ID =2A RDS(ON)

 8.3. Size:537K  cn hmsemi
 hm2n20pr.pdf pdf_icon

HM2N20R

HM2N20PR N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM2N20PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID =2A Schematic diagram RDS(ON)

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HM2N10, HM2N10B, HM2N10MR, HM2N15PR, HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, SI2302, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, HM2N70, HM2N70R, HM2P10PR, HM2P10R, HM3018