FDMB3900AN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDMB3900AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDMB3900AN

FDMB3900AN Datasheet (PDF)

..1. Size:265K fairchild semi
fdmb3900an.pdf

June 2013FDMB3900ANDual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 Athat has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

9.1. Size:321K fairchild semi
fdmb3800n.pdf

October 2006FDMB3800NtmDual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40mFeatures General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8AThese N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3Ahas been especially tailored to minimize the on-state resistance

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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