FDMB3900AN Todos los transistores

 

FDMB3900AN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMB3900AN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMB3900AN datasheet

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FDMB3900AN

June 2013 FDMB3900AN Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A that has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

 9.1. Size:321K  fairchild semi
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FDMB3900AN

October 2006 FDMB3800N tm Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40m Features General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A has been especially tailored to minimize the on-state resistance

Otros transistores... FDMA7632 , STS3116E , FDMA7670 , STS2622A , FDMA7672 , STS2621 , FDMB3800N , STS2620A , AO4407 , FDMB668P , FDMC15N06 , FDMC2512SDC , FDMC2514SDC , FDMC2523P , FDMC2610 , STS2620 , FDMC2674 .

History: SIHD6N65E | IXTY01N100D | IRFP3710PBF

 

 
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