FDMB3900AN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDMB3900AN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: MICROFET

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для FDMB3900AN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB3900AN даташит

 ..1. Size:265K  fairchild semi
 fdmb3900an.pdf pdf_icon

FDMB3900AN

June 2013 FDMB3900AN Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 m Features General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 A that has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

 9.1. Size:321K  fairchild semi
 fdmb3800n.pdf pdf_icon

FDMB3900AN

October 2006 FDMB3800N tm Dual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40m Features General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3A has been especially tailored to minimize the on-state resistance

Другие IGBT... FDMA7632, STS3116E, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, AO4407, FDMB668P, FDMC15N06, FDMC2512SDC, FDMC2514SDC, FDMC2523P, FDMC2610, STS2620, FDMC2674