Справочник MOSFET. FDMB3900AN

 

FDMB3900AN MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FDMB3900AN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 11 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET

 Аналог (замена) для FDMB3900AN

 

 

FDMB3900AN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  fairchild semi
 fdmb3900an.pdf

FDMB3900AN FDMB3900AN

June 2013FDMB3900ANDual N-Channel PowerTrench MOSFET 25 V, 7.0 A, 23 mFeatures General Description Max rDS(on) = 23 m at VGS = 10 V, ID = 7.0 A These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench process Max rDS(on) = 33 m at VGS = 4.5 V, ID = 5.5 Athat has been especially tailored to minimize the on-state Fast sw

 9.1. Size:321K  fairchild semi
 fdmb3800n.pdf

FDMB3900AN FDMB3900AN

October 2006FDMB3800NtmDual N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 4.8A, 40mFeatures General Description Max rDS(on) = 40m at VGS = 10V, ID = 4.8AThese N-Channel Logic Level MOSFETs are produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that Max rDS(on) = 51m at VGS = 4.5V, ID = 4.3Ahas been especially tailored to minimize the on-state resistance

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top