HM2N70 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2N70

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: TO220F TO251 TO252

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HM2N70 datasheet

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HM2N70

N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS RoHS RoHS RoHS FEATURES FEATURES FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMP

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HM2N70

H General Description VDSS 700 V HM2N70R, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

Otros transistores... HM2N15R, HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, IRF520, HM2N70R, HM2P10PR, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR, HM3018SR, HM30N02D