HM2N70 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM2N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 28 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F TO251 TO252
HM2N70 Datasheet (PDF)
hm2n70.pdf
N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETRoHSRoHS RoHSRoHSFEATURESFEATURESFEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMP
hm2n70r.pdf
H General Description VDSS 700 V HM2N70R, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
