HM2N70R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2N70R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: SOT223

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HM2N70R datasheet

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HM2N70R

H General Description VDSS 700 V HM2N70R, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

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HM2N70R

N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS RoHS RoHS RoHS FEATURES FEATURES FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMP

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