Справочник MOSFET. HM2N70R

 

HM2N70R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM2N70R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 5.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N70R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:683K  cn hmsemi
 hm2n70r.pdf pdf_icon

HM2N70R

H General Description VDSS 700 V HM2N70R, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

 8.1. Size:396K  cn hmsemi
 hm2n70.pdf pdf_icon

HM2N70R

N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETN- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFETRoHSRoHS RoHSRoHSFEATURESFEATURESFEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMP

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOTF298L

 

 
Back to Top

 


 
.