HM2N70R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2N70R

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6.5 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для HM2N70R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2N70R даташит

 ..1. Size:683K  cn hmsemi
 hm2n70r.pdf pdf_icon

HM2N70R

H General Description VDSS 700 V HM2N70R, the silicon N-channel Enhanced ID 2 A PD (TC=25 ) 35 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 4.7 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

 8.1. Size:396K  cn hmsemi
 hm2n70.pdf pdf_icon

HM2N70R

N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS RoHS RoHS RoHS FEATURES FEATURES FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMP

Другие IGBT... HM2N20, HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, HM2N70, IRF2807, HM2P10PR, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR, HM3018SR, HM30N02D, HM30N02K