HM2P10PR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM2P10PR

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT89

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HM2P10PR datasheet

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HM2P10PR

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HM2P10PR

HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)

Otros transistores... HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, HM2N70, HM2N70R, STF13NM60N, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR, HM3018SR, HM30N02D, HM30N02K, HM30N02Q