HM2P10PR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM2P10PR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для HM2P10PR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM2P10PR даташит

 ..1. Size:334K  cn hmsemi
 hm2p10pr.pdf pdf_icon

HM2P10PR

 8.1. Size:595K  cn hmsemi
 hm2p10r.pdf pdf_icon

HM2P10PR

HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)

Другие IGBT... HM2N20MR, HM2N20PR, HM2N20R, HM2N25, HM2N60, HM2N65R, HM2N70, HM2N70R, STF13NM60N, HM2P10R, HM3018, HM3018JR, HM3018KR, HM3018SR, HM30N02D, HM30N02K, HM30N02Q