HM2P10PR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM2P10PR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 24 nC
Время нарастания (tr): 32 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm
Тип корпуса: SOT89
HM2P10PR Datasheet (PDF)
..1. Size:334K cn hmsemi
hm2p10pr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
hm2p10pr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HM2P10PR Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
8.1. Size:595K cn hmsemi
hm2p10r.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
hm2p10r.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
HM2P10R Power MOSFET Datasheet P-Channel Enhancement Mode MOSFET FEATURES APPLICATIONS Battery Charge RDS(Typ.)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .