FDMB668P Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDMB668P  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: MICROFET

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FDMB668P datasheet

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FDMB668P

February 2007 FDMB668P tm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35m Features General Description FDMB668P is excellent for load switch and DC-DC conversion Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, ID = -6.1A among portable electronics. It achieves an optimal balance Max rDS(on) = 50m at VGS = -2.5V, ID = -5.1A among efficiency, thermal transfer and small

Otros transistores... STS3116E, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, FDMB3900AN, BS170, FDMC15N06, FDMC2512SDC, FDMC2514SDC, FDMC2523P, FDMC2610, STS2620, FDMC2674, FDMC3020DC