FDMB668P Todos los transistores

 

FDMB668P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMB668P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: MICROFET
 

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FDMB668P Datasheet (PDF)

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FDMB668P

February 2007FDMB668PtmP-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mFeatures General DescriptionFDMB668P is excellent for load switch and DC-DC conversion Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, ID = -6.1Aamong portable electronics. It achieves an optimal balance Max rDS(on) = 50m at VGS = -2.5V, ID = -5.1A among efficiency, thermal transfer and small

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: G37 | IRFU410 | G33

 

 
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