Справочник MOSFET. FDMB668P

 

FDMB668P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMB668P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: MICROFET
 

 Аналог (замена) для FDMB668P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB668P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  fairchild semi
 fdmb668p.pdf pdf_icon

FDMB668P

February 2007FDMB668PtmP-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35mFeatures General DescriptionFDMB668P is excellent for load switch and DC-DC conversion Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, ID = -6.1Aamong portable electronics. It achieves an optimal balance Max rDS(on) = 50m at VGS = -2.5V, ID = -5.1A among efficiency, thermal transfer and small

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: APT20M45SVFR | IXTM5N100A | IRFU410

 

 
Back to Top

 


 
.