FDMB668P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDMB668P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: MICROFET

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для FDMB668P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMB668P даташит

 ..1. Size:439K  fairchild semi
 fdmb668p.pdf pdf_icon

FDMB668P

February 2007 FDMB668P tm P-Channel 1.8V Logic Level PowerTrench MOSFET -20V, -6.1A, 35m Features General Description FDMB668P is excellent for load switch and DC-DC conversion Max rDS(on) = 35m at VGS = -4.5V, ID = -6.1A among portable electronics. It achieves an optimal balance Max rDS(on) = 50m at VGS = -2.5V, ID = -5.1A among efficiency, thermal transfer and small

Другие IGBT... STS3116E, FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, FDMB3900AN, BS170, FDMC15N06, FDMC2512SDC, FDMC2514SDC, FDMC2523P, FDMC2610, STS2620, FDMC2674, FDMC3020DC