FDMC15N06 Todos los transistores

 

FDMC15N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDMC15N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWER33
 

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FDMC15N06 Datasheet (PDF)

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FDMC15N06

July 2009FDMC15N06N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090Features Description RDS(on) = 0.075 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 15A These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UItraFET process. This advanced process technology 100% Avalanche Testedachieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance.This device

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History: IRLMS4502 | HCU80R1K4 | APT6032AVR | SML80J44 | IRF7805Z

 

 
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