FDMC15N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDMC15N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8.8 nC
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: POWER33
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDMC15N06
FDMC15N06 Datasheet (PDF)
fdmc15n06.pdf
July 2009FDMC15N06N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090Features Description RDS(on) = 0.075 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 15A These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UItraFET process. This advanced process technology 100% Avalanche Testedachieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance.This device
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