FDMC15N06 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FDMC15N06  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm

Тип корпуса: POWER33

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для FDMC15N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMC15N06 даташит

 ..1. Size:614K  fairchild semi
 fdmc15n06.pdf pdf_icon

FDMC15N06

July 2009 FDMC15N06 N-Channel MOSFET 55V, 15A, 0.090 Features Description RDS(on) = 0.075 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 15A These N-Channel power MOSFETs are manufactured using the innovative UItraFET process. This advanced process technology 100% Avalanche Tested achieves the lowest possible on-resistance per silicon area, resulting in outstanding performance.This device

Другие IGBT... FDMA7670, STS2622A, FDMA7672, STS2621, FDMB3800N, STS2620A, FDMB3900AN, FDMB668P, 4N60, FDMC2512SDC, FDMC2514SDC, FDMC2523P, FDMC2610, STS2620, FDMC2674, FDMC3020DC, STS2601