HM32N20F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM32N20F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 41.8 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 32 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 50 nC
   Tiempo de subida (tr): 32 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 370 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM32N20F

HM32N20F Datasheet (PDF)

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hm32n20 hm32n20f.pdf

/ 200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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Liste

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