HM32N20F Todos los transistores

 

HM32N20F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM32N20F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HM32N20F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM32N20F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3392K  cn hmsemi
 hm32n20 hm32n20f.pdf pdf_icon

HM32N20F

/ 200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Otros transistores... HM3205B , HM3205D , HM3207 , HM3207B , HM3207BD , HM3207D , HM3207T , HM32N20 , IRF3205 , HM3305 , HM3305D , HM3306 , HM3307 , HM3307A , HM3307B , HM3400 , HM3400B .

History: MMN1000DB010B | HM3305D | BUK763R8-80E | IRHN7450 | TPCA8051-H | HY1106S | TK100F06K3

 

 
Back to Top

 


 
.