HM32N20F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM32N20F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HM32N20F datasheet

 ..1. Size:3392K  cn hmsemi
 hm32n20 hm32n20f.pdf pdf_icon

HM32N20F

/ 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using True semi s - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

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