Справочник MOSFET. HM32N20F

 

HM32N20F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM32N20F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HM32N20F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM32N20F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3392K  cn hmsemi
 hm32n20 hm32n20f.pdf pdf_icon

HM32N20F

/ 200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using True semis - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие MOSFET... HM3205B , HM3205D , HM3207 , HM3207B , HM3207BD , HM3207D , HM3207T , HM32N20 , IRF3205 , HM3305 , HM3305D , HM3306 , HM3307 , HM3307A , HM3307B , HM3400 , HM3400B .

History: SSM6L10TU | GP1M009A070X | LSG65R380GF | PHB129NQ04LT | BL4N80-D | BUK7Y7R6-40E | LND06R079

 

 
Back to Top

 


 
.