HM32N20F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM32N20F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для HM32N20F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM32N20F даташит

 ..1. Size:3392K  cn hmsemi
 hm32n20 hm32n20f.pdf pdf_icon

HM32N20F

/ 200V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using True semi s - 32A, 200V, RDS(on) typ. = 0.080 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 50 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие IGBT... HM3205B, HM3205D, HM3207, HM3207B, HM3207BD, HM3207D, HM3207T, HM32N20, IRF3205, HM3305, HM3305D, HM3306, HM3307, HM3307A, HM3307B, HM3400, HM3400B